离子刻蚀机ICP

  • 仪器分类：刻蚀工艺
  • 所属单位：校内 > 电子科学与技术学院
  • 放置房间号：文宣楼C202-2洁净室
  • 规格型号：ICP-100
  • 仪器生产商：嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 购置日期：2021-06-01
  • 使用模式：项目委托,按时预约
  • 仪器状态：
仪器生产商： 嘉兴科民电子设备技术有限公司
资产编号： S2112423
资产负责人： 李明泼
购置日期： 2021-06-01
仪器价格： 69.00 万元
仪器产地： 中国
仪器供应商： 嘉兴科民电子设备技术有限公司
购买经办人： 林珊珊
主要配件： ----
主要参数： Power 380V AC, 50Hz, three-phase, 6.9kw Size of the substrate 4’’ wafer Operating temperature 10 to 40℃ Etching Rate 1.0μm/min(on SiO2) Control route Labview with Touch Screen Etching Gases Number 7 Base Vacuum ＜1×10-5Torr Pneumatic valve Fujikin Diaphragm Valves, Response time 10ms Size(L*W*H) 1450mm*780mm*1234mm
仪器介绍：
仪器详细信息仪器名称（中文/英文）离子束刻蚀ICP
规格型号科民 ICP-100
仪器放置位置文宣楼C202-2
仪器功能介绍通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容SiO2和SiN，SI刻蚀工艺，实现二维材料的刻蚀加工
性能指标1. 刻蚀材料：Si/SiO2/SiNx/石英/蓝宝石/Al等材料
2. 样片尺寸：直径100 mm，兼容4英寸及以下尺寸样片与碎片
3. 真空系统：本底真空度达到10-5Torr以上
4. 刻蚀工艺的均匀性：4英寸内≤ ±5%
5. 设备尺寸：≤1200mm（长）×850mm（宽）×850mm（高）
6. 气体：SF6/C4F8/CHF3/Ar/O2/N2

7. 功率：10~500W可调

8. 载片方式：陶瓷托盘（He吹扫）

9. 温度控制：无

10.刻蚀能力：

①刻蚀均匀性（4inch) ＜5%

②SiO2:刻蚀速率20~40nm/min; 侧壁形貌≈85℃；SiO2/PR选择比：   ；SiO2/Si选择比＞8

③SiNx:刻蚀速率30~60nm/min；


样品要求1、4寸及以下
2、反应生成物为气体


预约悉知：

               1、刻蚀新材料需提前与管理员沟通；

               2、预约需先提前告知管理员刻蚀样品形态、掩膜层、截止层及基底材料；

               3、设备主要刻蚀硅基材料，刻蚀非硅基材料（尤其是金属材料），需与管理员沟通确认；



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工作时间： 09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段： 0.5 小时
最大可预约时间段： 168 小时
日历最小单位： 0.5 小时
最近提前预约时间： 未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间： 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
预约保护时间： 15 分钟
失约保护时间： 15 分钟
断电延时时间： 30 秒
最短重上电时间： 5 秒
使用超时提醒： 120 秒
最大有效预约次数： 5 次 /天
无代价撤销预约时间： 1440 分钟
用户资格 工作时间 非工作时间
未授权资格 需审核 需审核
普通资格 需审核 需审核
资深资格 免审核 免审核
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