原子层沉积机PE-ALD

  • 仪器分类：薄膜沉积工艺
  • 所属单位：校内 > 电子科学与技术学院
  • 放置房间号：文宣楼C202-2洁净室
  • 规格型号：ALD-150R
  • 仪器生产商：嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 购置日期：2021-07-01
  • 使用模式：项目委托,按时预约
  • 仪器状态：
仪器生产商： 嘉兴科民电子设备技术有限公司
资产编号： S2112414
资产负责人： 李明泼
购置日期： 2021-07-01
仪器价格： 78.95 万元
仪器产地： 中国
仪器供应商： 嘉兴科民电子设备技术有限公司
购买经办人： 林珊珊
主要配件： ----
主要参数： 样品台：标准4/6/8/英寸，兼容以小尺寸，可定制 基片加热温度：室温~400℃ 沉积速率：1.2Å/cycle at 200℃ and 0.2 Torr（AL2O3） 本底真空：<5*10-3Torr，高性能机械泵 生长模式：高速沉积模式和停留生长模式 沉积非均匀性：AL2O3非均匀性＜±1% 源：O2、NH3、TMA 可成膜：Al2O3、AlN
仪器介绍：

等离子体增强原子层沉积（Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition,PE-ALD）,通过在传统ALD设备中增加等离子体放电装置，因而采用等离子体来激活反应，因而其周期耗时少。前驱体和衬底表面基团的反应只在等离子体作用下才能被激活，因而理论上PEALD工艺不需设置清洗步骤且能获得较高的沉积速率。此外，同其它薄膜沉积技术相比，PEALD还能增强薄膜性能，降低碳杂质含量和实现低温沉积。PE-ALD扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积，具备均匀的加热，高精度的控制特点。

设备编号沉积材料源1源2
PE-ALDAl2O3TMAO2Plasma
SiO2TDMASO2Plasma
AlNTMANH3Plasma
SiNXTDMASNH3Plasma
TiNTDMATiNH3Plasma


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工作时间： 09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段： 0.5 小时
最大可预约时间段： 168 小时
日历最小单位： 0.5 小时
最近提前预约时间： 未授权用户: 3小时； 普通资格用户: 3小时； 资深资格用户: 3小时
最远提前预约时间： 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
预约保护时间： 60 分钟
失约保护时间： 60 分钟
断电延时时间： 30 秒
最短重上电时间： 5 秒
使用超时提醒： 120 秒
最大有效预约次数： 5 次 /天
无代价撤销预约时间： 1440 分钟
用户资格 工作时间 非工作时间
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资深资格 免审核 免审核
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