厦门大学国家集成电路产教融合创新平台-等离子深硅刻蚀机

仪器生产商：北方华创科技集团股份有限公司

资产编号： S2112424

资产负责人：戴彬

购置日期： 2021-06-01

仪器价格： 339.30 万元

仪器产地：中国

仪器供应商：北方华创科技集团股份有限公司

购买经办人：林珊珊

主要配件： ----

主要参数：晶圆尺寸：8英寸向下兼容孔CD宽度：10±1um 开口率：< 20% 刻蚀深度：＞100um 刻蚀速率：> 5um/min 刻蚀角度：90°±0.5° 侧壁粗糙度：< 50nm 对光刻胶选择比：>50: 1 深度片内均匀性：< ±2% 深度片间均匀性：< ±2%

仪器介绍：

仪器详细信息	仪器名称（中文/英文）	等离子深硅刻蚀机 ICP Plasma Detching System
	规格型号	HSE M200
	仪器放置位置	文宣楼C406-4
	仪器功能介绍	HSE M200深硅刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，HSE深硅刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性
	性能指标	该机台具备双射频源（13.56M）以及低射频（400K）下电极，气体可从中间及边缘进气，参数可设置起始值。 1. ICP主射频功率：500-2800W；副射频功率：500-2800W；下电极LF功率：40-400W；匹配稳定时间＜3s ； 2. 工艺气体：C4F8、SF6、O2和Ar； 3. 样品尺寸：8英寸，可向下兼容； 4. 下电极温度范围：-20～40℃； 5. 刻蚀材料：硅，推荐PR掩膜； 6. 刻蚀能力：（1）工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8 um/min，与PR选择比＞70；（2）高深宽比， TSV 10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV 1μm 可用PR掩膜刻蚀15μm，角度垂直；（3）小线宽极限刻蚀： Trench 0.6μm可达到深宽比＞50 7.刻蚀均匀性：5%
	样品要求	1、禁止刻蚀带金属样品 2、刻穿样品背面需添加截止层

该设备为Bosch工艺，刻蚀过程中不能暴露金属，半小时起约。

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工作时间： 09:00-12:00;14:30-17:30

最小可预约时间段： 0.5 小时

最大可预约时间段： 168 小时

日历最小单位： 0.5 小时

最近提前预约时间：未授权用户: 0小时；普通资格用户: 3小时；资深资格用户: 0小时

最远提前预约时间：未授权: 720 小时 0 点；普通: 720 小时 0 点；资深: 720 小时 0 点

预约保护时间： 30 分钟

失约保护时间： 30 分钟

断电延时时间： 30 秒

最短重上电时间： 5 秒

使用超时提醒： 120 秒

最大有效预约次数： 5 次 /天

无代价撤销预约时间： 1440 分钟

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等离子深硅刻蚀机