常温晶圆键合机

  • 仪器分类：C102-2
  • 所属单位：校内 > 电子科学与技术学院 > 微电子与集成电路系
  • 放置房间号：翔安校区 > 翔安校区主楼四号楼 > C102
  • 规格型号：SAB6110
  • 仪器生产商：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
  • 购置日期：2024-12-19
  • 使用模式：项目委托
  • 仪器状态：
仪器生产商:天津中科晶禾电子科技有限责任公司
资产编号:----
资产负责人:----
购置日期:2024-12-19
仪器价格:694.00 万元
仪器产地:天津
仪器供应商:天津中科晶禾电子科技有限责任公司
购买经办人:黄巍
主要配件:1.加载模块 2.传输模块 3.溅射模块 4.工艺模块 5.操控台 6.控制柜
主要参数:----
仪器介绍:
仪器详细信息仪器名称（中文/英文）常温晶圆键合机
规格型号SAB6110
仪器放置位置文宣楼C202-2
仪器功能介绍室温键合是在超高真空下通过离子束轰击表面，去除表面污染和氧化层，获得高活性的表面，然后施加压力，实现金 属、半导体材料等同质或异质键合。 SAB6110 可以实现全自动室温键合工艺，同时还具备在样品表面溅射纳米镀层，进行增强型室温键合。
性能指标1.待键合晶圆：
1.1 设备上料方式：手动上料
1.2 晶圆尺寸：8 英寸，兼容 4 英寸晶圆
1.3 适配样品材料：Si、LT、Sapphire、SiO2、InP、SiC、GaAs、GaN 等
1.4 晶圆厚度 0.350-0.725mm
2.真空压力
2.1设备上料腔真空度：≤1.0E-3Pa
2.2设备传输腔真空度：≤1.0E-4Pa
2.3设备溅射腔真空度：≤1.0E-4Pa
2.4设备工艺腔真空度：≤7.0E-6Pa
3.压合力
3.1设备最大压合力：≥100kN
3.2 压力均匀性≤±5%@8inch
3.3 压力精度≤±0.5% F.S.
4.定位精度
4.1 8 英寸/4 英寸晶圆的高分辨自动光学对准
4.2 Mark 标记对准, 定位精度≤ ±2μm@8 英寸
4.3 定位精度≤±3um@4 英寸
5.活化参数：
5.1 配备 4 件 FAB 快速原子束枪（电压≥1.5kV，束流≥100mA）
5.2 氧化物去除速率 ＞1.0nm/min
5.3 最大气体流量：100sccm
6.溅射参数
6.1 溅射头≥2Pcs（配备 1 台直流源、1 台射频源，每套溅射头含有一件靶材）
6.2 镀膜均匀性＜30%
6.3 成膜速率 ＞1.0nm/min
7.键合参数
键合强度 8inch Si-Si ≥1.8J/m2，气泡面积＜5%
8.压头平行度
设备具备自适应调平机构，确保上下压头平行度，平行度三点测量≤10μm
样品要求8 英寸，兼容 4 英寸晶圆


主要仪器管理员: 戴彬(电话:13695987287)
工作时间:09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段:0.5 小时
最大可预约时间段:168 小时
日历最小单位:0.5 小时
最近提前预约时间: 未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 24小时； 资深资格用户: 24小时
最远提前预约时间: 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
最大有效预约次数:5 次/天
无代价撤销预约时间:1440 分钟
用户资格 工作时间 非工作时间
未授权资格 需审核 需审核
普通资格 免审核 需审核
资深资格 免审核 免审核
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