厦门大学国家集成电路产教融合创新平台-晶圆级键合机

仪器生产商： EVG

资产编号： S2203981

资产负责人：李明泼

购置日期： 2021-03-01

仪器价格： 254.40 万元

仪器产地：进口

仪器供应商： EVG Group

购买经办人：林珊珊

主要配件： ----

主要参数： 1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片； 2、基片最大叠层：4.5毫米； 3、抽真空时间：从1Bar到5×10-3mbar真空度时间<5min;最高真空度≤1×10-3mbar；真空漏率指标：真空下＜1mbar/min； 4、最大压力20KN，最小压力100N； 5、上、下基板加热系统分别独立控制；最大键合温度550℃，上下加热盘能长时间稳定运行，升温速率≥30°C/min，降温速率≥30°C/min 6、键合电源：0-2000V/50mA，电流分辨率：20uA。 7、对准精度≤2μm

仪器介绍：

仪器详细信息	仪器名称	晶圆级键合机 Wafer Bonder
	规格型号	EVG510
	仪器功能介绍	EVG510 键合机可进行阳极键合，Si-Si熔融直接键合，热压键合如共晶键合，金属扩散键合，中间黏附层键合和玻璃胶键合等所有热压键合工艺。系统具有低压力的上电极与基片间自动找平衡功能，确保键合质量和键合的图形对准精度。主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。
	性能指标	1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片； 2、基片最大叠层：3mm； 3、抽真空时间：从1Bar到5×10-3mbar真空度时间<5min;最高真空度≤1×10-5mbar；真空漏率指标：真空下＜1mbar/min； 4、最大压力20kN，最小压力100N； 5、上、下基板加热系统分别独立控制；最大键合温度550℃，上下加热盘能长时间稳定运行，升温速率≥30°C/min，下加热盘降温速率≥30°C/min 6、键合电源：0-2000V/50mA，电流分辨率：20uA。
	样品要求	1、样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆、或不规则碎片； 2、样品总厚度不超过3mm

小片键合需自备至少2片4英寸整片；

整片对准精度≤2μm

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工作时间： 09:00-12:00;14:00-18:00

最小可预约时间段： 0.5 小时

最大可预约时间段： 168 小时

日历最小单位： 0.5 小时

最近提前预约时间：未授权用户: 0小时；普通资格用户: 0小时；资深资格用户: 0小时

最远提前预约时间：未授权: 720 小时 0 点；普通: 720 小时 0 点；资深: 720 小时 0 点

预约保护时间： 15 分钟

失约保护时间： 15 分钟

断电延时时间： 30 秒

最短重上电时间： 5 秒

使用超时提醒： 120 秒

最大有效预约次数： 5 次 /天

无代价撤销预约时间： 1440 分钟

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资深资格	免审核	免审核

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