基本信息

  • 生产厂商 嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 资产编号 S2112423
  • 资产负责人 李明泼
  • 购置日期2021-06-01
  • 仪器价格69.00 万元
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 购买经办人林珊珊
  • 主要配件
  • 主要参数Power 380V AC, 50Hz, three-phase, 6.9kw Size of the substrate 4’’ wafer Operating temperature 10 to 40℃ Etching Rate 1.0μm/min(on SiO2) Control route Labview with Touch Screen Etching Gases Number 7 Base Vacuum ＜1×10-5Torr Pneumatic valve Fujikin Diaphragm Valves, Response time 10ms Size(L*W*H) 1450mm*780mm*1234mm

仪器介绍

仪器详细信息仪器名称（中文/英文）离子束刻蚀ICP
规格型号科民 ICP-100
仪器放置位置文宣楼C202-2
仪器功能介绍通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容SiO2和SiN，SI刻蚀工艺，实现二维材料的刻蚀加工
性能指标1. 刻蚀材料：Si/SiO2/SiNx/石英/蓝宝石/Al等材料
2. 样片尺寸：直径100 mm，兼容4英寸及以下尺寸样片与碎片
3. 真空系统：本底真空度达到10-5Torr以上
4. 刻蚀工艺的均匀性：4英寸内≤ ±5%
5. 设备尺寸：≤1200mm（长）×850mm（宽）×850mm（高）
6. 气体：SF6/C4F8/CHF3/Ar/O2/N2

7. 功率：10~500W可调

8. 载片方式：陶瓷托盘（He吹扫）

9. 温度控制：无

10.刻蚀能力：

①刻蚀均匀性（4inch) ＜5%

②SiO2:刻蚀速率20~40nm/min; 侧壁形貌≈85℃；SiO2/PR选择比：   ；SiO2/Si选择比＞8

③SiNx:刻蚀速率30~60nm/min；


样品要求1、4寸及以下
2、反应生成物为气体