| 仪器详细信息 | 仪器名称（中文/英文） | 离子束刻蚀-RIE4 |
| 规格型号 | 科民 RIE-100 | |
| 仪器放置位置 | 文宣楼C202-2 | |
| 仪器功能介绍 | 本设备主要通过气体放电产生大量化学活性的等离子体，利用离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀。同时，离子在自偏压电场中获得能量，对材料表面产生物理轰击作用。 | |
| 性能指标 | 1. 刻蚀材料：BN/SiC 2. 样片尺寸：直径100 mm，兼容4英寸及以下尺寸样片与碎片 3. 真空系统：工艺腔本底极限真空度达到5×10-3Pa以上 4. 刻蚀工艺的均匀性：4英寸内≤ ±5% 5. 设备尺寸： ≤1200mm（长）x850mm（宽）x850mm（高） 6. 气体：SF6/CHF3/Ar/O2/N2 6~300sccm 7. 功率：10~500W可调 8. 单次刻蚀时间：不超过2小时 9. 载片方式：Al托盘（水冷） 10.温度控制：无 11.速率：氮化硼≈1.2nm/s 碳化硅≈0.26nm/s | |
| 样品要求 | 1、4寸及以下 2、反应生成物为气体 |
