等离子体增强原子层沉积（Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition,PE-ALD）,通过在传统ALD设备中增加等离子体放电装置，因而采用等离子体来激活反应，因而其周期耗时少。前驱体和衬底表面基团的反应只在等离子体作用下才能被激活，因而理论上PEALD工艺不需设置清洗步骤且能获得较高的沉积速率。此外，同其它薄膜沉积技术相比，PEALD还能增强薄膜性能，降低碳杂质含量和实现低温沉积。PE-ALD扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积，具备均匀的加热，高精度的控制特点。