热型原子层沉积（Thermal Atomic Layer Deposition，T-ALD）是通过吸收衬底或腔室的热量激发前驱物发生化学反应，基于连续的气相表面反应，获得纳米级的、具有非常好的保型性和工艺可控性的单层或多层薄膜。T-ALD双腔原子层沉积系统具备均匀的加热和高精度的控制，采用加热辅助增强模式，可沉积多种超薄、高保形性、高台阶覆盖能力的高质量介质薄膜，包括金属氧化物和金属氮化物，如Al₂O₃、ZnO、HfO₂和TiO₂等，厚度可实现原子层的控制。