基本信息

  • 生产厂商 嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 资产编号 S2112412
  • 资产负责人 李明泼
  • 购置日期2021-06-01
  • 仪器价格62.00 万元
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商嘉兴科民电子设备技术有限公司
  • 购买经办人林珊珊
  • 主要配件 铝腔，最大6寸，最高温度280℃
  • 主要参数衬底尺寸：最大6英寸 工艺温度：室温〜500°C 源加热温度：室温~200℃ 沉积速率：以Al2O3为例1.2 Å/cycle，200℃，0.2 Torr 本底真空：＜5*10-3Torr 响应时间：≤5ms 腔体尺寸：750mm*630mm*1234mm 源：H2O、O3

仪器介绍

热型原子层沉积（Thermal Atomic Layer Deposition，T-ALD）是通过吸收衬底或腔室的热量激发前驱物发生化学反应，基于连续的气相表面反应，获得纳米级的、具有非常好的保型性和工艺可控性的单层或多层薄膜。T-ALD双腔原子层沉积系统具备均匀的加热和高精度的控制，采用加热辅助增强模式，可沉积多种超薄、高保形性、高台阶覆盖能力的高质量介质薄膜，包括金属氧化物和金属氮化物，如Al2O3、ZnO、HfO2和TiO2等，厚度可实现原子层的控制。

可沉积薄膜材料：铜单质