| 仪器详细信息 | 仪器名称（中文/英文） | 等离子深硅刻蚀机 ICP Plasma Detching System |
| 规格型号 | HSE M200 | |
| 仪器放置位置 | 文宣楼C406-4 | |
| 仪器功能介绍 | HSE M200深硅刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。HSE深硅刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于 100mm晶片(可兼容 50~200mm直径晶片)的高深宽比刻蚀。在众多领域均被广泛应用,如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；宏观设备的微型化。 | |
| 性能指标 | 该机台具备双射频源（13.56M）以及低射频（400K）下电极，气体可从中间及边缘进气，参数可设置起始值。 1. ICP主射频功率：500-2800W；副射频功率：500-2800W；下电极LF功率：40-400W；匹配稳定时间＜3 s ； 2. 工艺气体：C4F8、SF6、O2和Ar； 3. 样品尺寸：8英寸，可向下兼容； 4. 下电极温度范围：-20～40℃； 5. 刻蚀材料：用于硅片的高深比刻蚀，推荐PR掩膜； 6. 刻蚀能力：（1）工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8 um/min，与PR选择比＞70； （2）高深宽比， TSV 10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV 1μm 可用PR掩膜刻蚀15μm，角度垂直； （3）小线宽极限刻蚀： Trench 0.6μm可达到深宽比＞50 7.刻蚀均匀性：5% | |
| 样品要求 | 1、禁止刻蚀带金属样品 |
