氧化扩散炉系统主要用于实验室半导体集成电路、分立器件光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用6英寸硅片的氧化、扩散等工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，氧化膜可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等。扩散（Diffu####）是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。