| 仪器详细信息 | 仪器名称 | 晶圆级键合机 Wafer Bonder |
| 规格型号 | EVG510 | |
| 仪器功能介绍 | EVG510 键合机可进行阳极键合，Si-Si熔融直接键合，热压键合如共晶键合，金属扩散键合，中间黏附层键合和玻璃胶键合等所有热压键合工艺。系统具有低压力的上电极与基片间自动找平衡功能，确保键合质量和键合的图形对准精度。主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。 | |
| 性能指标 | 1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片； 2、基片最大叠层：4.5毫米； 3、抽真空时间： 从1Bar到5×10-3mbar真空度时间<5min;最高真空度≤1×10-3mbar；真空漏率指标：真空下＜1mbar/min； 4、最大压力20KN，最小压力100N； 5、上、下基板加热系统分别独立控制；最大键合温度550℃，上下加热盘能长时间稳定运行，升温速率≥30°C/min，降温速率≥30°C/min 6、键合电源：0-2000V/50mA，电流分辨率：20uA。 | |
| 样品要求 | 1、样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆、或不规则碎片； 2、样品总厚度不超过16mm |
