| 仪器详细信息 | 仪器名称（中文/英文） | 常温晶圆键合机 |
| 规格型号 | SAB6110 | |
| 仪器放置位置 | 文宣楼C202-2 | |
| 仪器功能介绍 | 室温键合是在超高真空下通过离子束轰击表面，去除表面污染和氧化层，获得高活性的表面，然后施加压力，实现金 属、半导体材料等同质或异质键合。 SAB6110 可以实现全自动室温键合工艺，同时还具备在样品表面溅射纳米镀层，进行增强型室温键合。 | |
| 性能指标 | 1.待键合晶圆： 1.1 设备上料方式：手动上料 1.2 晶圆尺寸：8 英寸，兼容 4 英寸晶圆 1.3 适配样品材料：Si、LT、Sapphire、SiO2、InP、SiC、GaAs、GaN 等 1.4 晶圆厚度 0.350-0.725mm 2.真空压力 2.1设备上料腔真空度：≤1.0E-3Pa 2.2设备传输腔真空度：≤1.0E-4Pa 2.3设备溅射腔真空度：≤1.0E-4Pa 2.4设备工艺腔真空度：≤7.0E-6Pa 3.压合力 3.1设备最大压合力：≥100kN 3.2 压力均匀性≤±5%@8inch 3.3 压力精度≤±0.5% F.S. 4.定位精度 4.1 8 英寸/4 英寸晶圆的高分辨自动光学对准 4.2 Mark 标记对准, 定位精度≤ ±2μm@8 英寸 4.3 定位精度≤±3um@4 英寸 5.活化参数： 5.1 配备 4 件 FAB 快速原子束枪（电压≥1.5kV，束流≥100mA） 5.2 氧化物去除速率 ＞1.0nm/min 5.3 最大气体流量：100sccm 6.溅射参数 6.1 溅射头≥2Pcs（配备 1 台直流源、1 台射频源，每套溅射头含有一件靶材） 6.2 镀膜均匀性＜30% 6.3 成膜速率 ＞1.0nm/min 7.键合参数 键合强度 8inch Si-Si ≥1.8J/m2，气泡面积＜5% 8.压头平行度 设备具备自适应调平机构，确保上下压头平行度，平行度三点测量≤10μm | |
| 样品要求 | 8 英寸，兼容 4 英寸晶圆 |
