热型原子层沉积(Thermal Atomic Layer Deposition,T-ALD)是通过吸收衬底或腔室的热量激发前驱物发生化学反应,基于连续的气相表面反应,获得纳米级的、具有非常好的保型性和工艺可控性的单层或多层薄膜。T-ALD双腔原子层沉积系统具备均匀的加热和高精度的控制,采用加热辅助增强模式,可沉积多种超薄、高保形性、高台阶覆盖能力的高质量介质薄膜,包括金属氧化物和金属氮化物,如Al2O3、ZnO、HfO2和TiO2等,厚度可实现原子层的控制。
可沉积薄膜材料:铜单质
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1 | ALD操作规程 | 1 | 2022-04-14 11:29:04 | 文件下载 |
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