等离子深硅刻蚀机

  • 仪器分类：刻蚀工艺
  • 所属单位：校内 > 电子科学与技术学院
  • 放置房间号：文宣楼C406-4洁净室
  • 规格型号：HSE M200
  • 仪器生产商：北方华创科技集团股份有限公司
  • 购置日期：2021-06-01
  • 使用模式：项目委托,按时预约
  • 仪器状态：
仪器生产商:北方华创科技集团股份有限公司
资产编号:S2112424
资产负责人:李明泼
购置日期:2021-06-01
仪器价格:339.30 万元
仪器产地:中国
仪器供应商:北方华创科技集团股份有限公司
购买经办人:林珊珊
主要配件:----
主要参数:晶圆尺寸：8英寸向下兼容 孔CD宽度：10±1um 开口率：< 20% 刻蚀深度：＞100um 刻蚀速率：> 5um/min 刻蚀角度：90°±0.5° 侧壁粗糙度：< 50nm 对光刻胶选择比：>50: 1 深度片内均匀性：< ±2% 深度片间均匀性：< ±2%
仪器介绍:

仪器详细信息仪器名称（中文/英文）等离子深硅刻蚀机
ICP Plasma Detching System
规格型号HSE M200
仪器放置位置文宣楼C406-4
仪器功能介绍HSE M200深硅刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。HSE深硅刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于 100mm晶片(可兼容 50~200mm直径晶片)的高深宽比刻蚀。在众多领域均被广泛应用,如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；宏观设备的微型化。
性能指标该机台具备双射频源（13.56M）以及低射频（400K）下电极，气体可从中间及边缘进气，参数可设置起始值。
1.  ICP主射频功率：500-2800W；副射频功率：500-2800W；下电极LF功率：40-400W；匹配稳定时间＜3 s ；
2. 工艺气体：C4F8、SF6、O2和Ar；
3. 样品尺寸：8英寸，可向下兼容；
4. 下电极温度范围：-20～40℃；
5. 刻蚀材料：用于硅片的高深比刻蚀，推荐PR掩膜；
6. 刻蚀能力：（1）工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8 um/min，与PR选择比＞70；
           （2）高深宽比， TSV 10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV 1μm 可用PR掩膜刻蚀15μm，角度垂直；
           （3）小线宽极限刻蚀： Trench 0.6μm可达到深宽比＞50
7.刻蚀均匀性：5%
样品要求1、禁止刻蚀带金属样品



该设备为Bosch工艺，刻蚀过程中不能暴露金属，半小时起约。

主要仪器管理员: 戴彬(电话:13695987287)
仪器管理员: 李明泼(电话:13959278330)
仪器管理员: 谭颖玲(电话:15751866591)
仪器管理员: 梁冬雪(电话:18850013376)
仪器管理员: 李君兰(电话:18506926816)
仪器管理员: 郭文安(电话:13559290195)
工作时间:09:00-12:00;14:30-17:30
最小可预约时间段:0.5 小时
最大可预约时间段:168 小时
日历最小单位:0.5 小时
最近提前预约时间: 未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 4小时； 资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间: 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
预约保护时间:30 分钟
失约保护时间:30 分钟
断电延时时间:30 秒
最短重上电时间:5 秒
使用超时提醒:120 秒
最大有效预约次数:5 次/天
无代价撤销预约时间:1440 分钟
用户资格 工作时间 非工作时间
未授权资格 需审核 需审核
普通资格 需审核 需审核
资深资格 免审核 免审核
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