HSE M200深硅刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher),采用半导体刻蚀机的成熟技术,独特设计的等离子体源,实现了对腔室内等离体密度的均匀控制,满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。HSE深硅刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性,主要用于 100mm晶片(可兼容 50~200mm直径晶片)的高深宽比刻蚀。在众多领域均被广泛应用,如:三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺;MEMS电容式惯性传感器;宏观设备的微型化。
该设备为Bosch工艺,刻蚀过程中不能暴露金属,半小时起约。
用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
---|---|---|
未授权资格 | 需审核 | 需审核 |
普通资格 | 需审核 | 需审核 |
资深资格 | 免审核 | 免审核 |
序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
---|
序号 | 标题 | 添加时间 | 操作 |
---|
待审核
预约有效
预约完成
预约失约
预约被占用