晶圆级键合机

  • 仪器分类：封装工艺
  • 所属单位：校内 > 电子科学与技术学院
  • 放置房间号：文宣楼C406-5洁净室
  • 规格型号：EVG510
  • 仪器生产商：EVG
  • 购置日期：2021-03-01
  • 使用模式：项目委托,按时预约
  • 仪器状态：
仪器生产商:EVG
资产编号:----
资产负责人:李明泼
购置日期:2021-03-01
仪器价格:254.40 万元
仪器产地:进口
仪器供应商:EVG Group
购买经办人:林珊珊
主要配件:----
主要参数:1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片； 2、基片最大叠层：4.5毫米； 3、抽真空时间： 从1Bar到5×10-3mbar真空度时间<5min;最高真空度≤1×10-3mbar；真空漏率指标：真空下＜1mbar/min； 4、最大压力20KN，最小压力100N； 5、上、下基板加热系统分别独立控制；最大键合温度550℃，上下加热盘能长时间稳定运行，升温速率≥30°C/min，降温速率≥30°C/min 6、键合电源：0-2000V/50mA，电流分辨率：20uA。
仪器介绍:
仪器详细信息仪器名称晶圆级键合机
Wafer Bonder
规格型号EVG510
仪器功能介绍
EVG510 键合机可进行阳极键合，Si-Si熔融直接键合，热压键合如共晶键合，金属扩散键合，中间黏附层键合和玻璃胶键合等所有热压键合工艺。系统具有低压力的上电极与基片间自动找平衡功能，确保键合质量和键合的图形对准精度。主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。
性能指标

1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片；
2、基片最大叠层：4.5毫米；
3、抽真空时间： 从1Bar到5×10-3mbar真空度时间<5min;最高真空度≤1×10-3mbar；真空漏率指标：真空下＜1mbar/min；
4、最大压力20KN，最小压力100N；
5、上、下基板加热系统分别独立控制；最大键合温度550℃，上下加热盘能长时间稳定运行，升温速率≥30°C/min，降温速率≥30°C/min
6、键合电源：0-2000V/50mA，电流分辨率：20uA。
样品要求
1、样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆、或不规则碎片；


主要仪器管理员: 戴彬(电话:13695987287)
仪器管理员: 运维小刘(电话:15900003336)
仪器管理员: 李明泼(电话:13959278330)
仪器管理员: 谭颖玲(电话:15751866591)
工作时间:09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段:0.5 小时
最大可预约时间段:168 小时
日历最小单位:0.5 小时
最近提前预约时间: 未授权用户: 12小时； 普通资格用户: 12小时； 资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间: 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
预约保护时间:15 分钟
失约保护时间:15 分钟
断电延时时间:30 秒
最短重上电时间:5 秒
使用超时提醒:120 秒
最大有效预约次数:5 次/天
无代价撤销预约时间:1440 分钟
用户资格 工作时间 非工作时间
未授权资格 需审核 需审核
普通资格 需审核 需审核
资深资格 需审核 需审核
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